Sonraíochtaí

• sraith
  HEXFET®, StrongIRFET™
• pacáiste
  Tube
• stádas páirt
  Active
• cineál fet
  N-Channel
• teicneolaíochta
  MOSFET (Metal Oxide)
• taosc go voltas foinse (vdss)
  200 V
• sruth - draein leanúnach (id) @ 25°c
  12A (Tc)
• voltas tiomána (rds uasta ar aghaidh, íosmhéid ar aghaidh)
  10V
• rds ar (max) @ id, vgs
  170mOhm @ 7.2A, 10V
• vgs(th) (uas) @ id
  4.9V @ 50µA
• muirear geata (qg) (uas) @ vgs
  23 nC @ 10 V
• vgs (uas)
  ±20V
• toilleas ionchuir (ciss) (uas) @ vds
  790 pF @ 50 V
• gné fet
  -
• diomailt cumhachta (uas)
  80W (Tc)
• teocht oibriúcháin
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• cineál gléasta
  Through Hole
• pacáiste gléas soláthraí
  TO-220AB
• pacáiste / cás
  TO-220-3