Sonraíochtaí

• sraith
  HEXFET®
• pacáiste
  Bulk
• stádas páirt
  Active
• cineál fet
  N-Channel
• teicneolaíochta
  MOSFET (Metal Oxide)
• taosc go voltas foinse (vdss)
  24 V
• sruth - draein leanúnach (id) @ 25°c
  195A (Tc)
• voltas tiomána (rds uasta ar aghaidh, íosmhéid ar aghaidh)
  10V
• rds ar (max) @ id, vgs
  1.65mOhm @ 195A, 10V
• vgs(th) (uas) @ id
  4V @ 250µA
• muirear geata (qg) (uas) @ vgs
  240 nC @ 10 V
• vgs (uas)
  ±20V
• toilleas ionchuir (ciss) (uas) @ vds
  7.59 pF @ 24 V
• gné fet
  -
• diomailt cumhachta (uas)
  300W (Tc)
• teocht oibriúcháin
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• cineál gléasta
  Surface Mount
• pacáiste gléas soláthraí
  D2PAK
• pacáiste / cás
  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB