Sonraíochtaí

• sraith
  NexFET™
• pacáiste
  Bulk
• stádas páirt
  Active
• cineál fet
  N-Channel
• teicneolaíochta
  MOSFET (Metal Oxide)
• taosc go voltas foinse (vdss)
  25 V
• sruth - draein leanúnach (id) @ 25°c
  22A (Ta), 113A (Tc)
• voltas tiomána (rds uasta ar aghaidh, íosmhéid ar aghaidh)
  -
• rds ar (max) @ id, vgs
  4.5mOhm @ 25A, 10V
• vgs(th) (uas) @ id
  2.1V @ 250µA
• muirear geata (qg) (uas) @ vgs
  8.9 nC @ 4.5 V
• vgs (uas)
  +16V, -12V
• toilleas ionchuir (ciss) (uas) @ vds
  1300 pF @ 12.5 V
• gné fet
  -
• diomailt cumhachta (uas)
  3.1W (Ta)
• teocht oibriúcháin
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• cineál gléasta
  Surface Mount
• pacáiste gléas soláthraí
  8-VSON-CLIP (5x6)
• pacáiste / cás
  8-PowerTDFN