Sonraíochtaí

• sraith
  HEXFET®
• pacáiste
  Bulk
• stádas páirt
  Active
• cineál fet
  N-Channel
• teicneolaíochta
  MOSFET (Metal Oxide)
• taosc go voltas foinse (vdss)
  25 V
• sruth - draein leanúnach (id) @ 25°c
  28A (Ta), 125A (Tc)
• voltas tiomána (rds uasta ar aghaidh, íosmhéid ar aghaidh)
  4.5V, 10V
• rds ar (max) @ id, vgs
  1.7mOhm @ 28A, 10V
• vgs(th) (uas) @ id
  2.1V @ 50µA
• muirear geata (qg) (uas) @ vgs
  25 nC @ 4.5 V
• vgs (uas)
  ±16V
• toilleas ionchuir (ciss) (uas) @ vds
  2.51 pF @ 13 V
• gné fet
  -
• diomailt cumhachta (uas)
  2.1W (Ta), 42W (Tc)
• teocht oibriúcháin
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• cineál gléasta
  Surface Mount
• pacáiste gléas soláthraí
  DIRECTFET™ S3C
• pacáiste / cás
  DirectFET™ Isometric S3C