Sonraíochtaí

• sraith
  HEXFET®
• pacáiste
  Tube
• stádas páirt
  Active
• cineál fet
  2 N-Channel (Dual)
• gné fet
  Logic Level Gate
• taosc go voltas foinse (vdss)
  20V
• sruth - draein leanúnach (id) @ 25°c
  5.2A
• rds ar (max) @ id, vgs
  50mOhm @ 2.6A, 4.5V
• vgs(th) (uas) @ id
  700mV @ 250µA
• muirear geata (qg) (uas) @ vgs
  20nC @ 4.5V
• toilleas ionchuir (ciss) (uas) @ vds
  660pF @ 15V
• cumhacht - uas
  2W
• teocht oibriúcháin
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• cineál gléasta
  Surface Mount
• pacáiste / cás
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• pacáiste gléas soláthraí
  8-SO