Sonraíochtaí

• sraith
  -
• pacáiste
  Bulk
• stádas páirt
  Active
• cineál fet
  N-Channel
• teicneolaíochta
  MOSFET (Metal Oxide)
• taosc go voltas foinse (vdss)
  30 V
• sruth - draein leanúnach (id) @ 25°c
  14A (Ta), 60A (Tc)
• voltas tiomána (rds uasta ar aghaidh, íosmhéid ar aghaidh)
  4.5V, 10V
• rds ar (max) @ id, vgs
  7.3mOhm @ 14A, 10V
• vgs(th) (uas) @ id
  2.4V @ 25µA
• muirear geata (qg) (uas) @ vgs
  14 nC @ 4.5 V
• vgs (uas)
  ±20V
• toilleas ionchuir (ciss) (uas) @ vds
  1.43 pF @ 15 V
• gné fet
  -
• diomailt cumhachta (uas)
  2.2W (Ta), 42W (Tc)
• teocht oibriúcháin
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• cineál gléasta
  Surface Mount
• pacáiste gléas soláthraí
  DIRECTFET™ SQ
• pacáiste / cás
  DirectFET™ Isometric SQ