Sonraíochtaí

• sraith
  -
• pacáiste
  Bulk
• stádas páirt
  Active
• cineál fet
  2 N-Channel (Half Bridge)
• gné fet
  Silicon Carbide (SiC)
• taosc go voltas foinse (vdss)
  1200V (1.2kV)
• sruth - draein leanúnach (id) @ 25°c
  204A (Tc)
• rds ar (max) @ id, vgs
  -
• vgs(th) (uas) @ id
  4V @ 35.2mA
• muirear geata (qg) (uas) @ vgs
  -
• toilleas ionchuir (ciss) (uas) @ vds
  23000pF @ 10V
• cumhacht - uas
  1130W
• teocht oibriúcháin
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• cineál gléasta
  -
• pacáiste / cás
  Module
• pacáiste gléas soláthraí
  Module