Sonraíochtaí

• sraith
  -
• pacáiste
  Tray
• stádas páirt
  Active
• cineál fet
  N-Channel
• teicneolaíochta
  GaNFET (Gallium Nitride)
• taosc go voltas foinse (vdss)
  650 V
• sruth - draein leanúnach (id) @ 25°c
  6.5A (Tc)
• voltas tiomána (rds uasta ar aghaidh, íosmhéid ar aghaidh)
  8V
• rds ar (max) @ id, vgs
  312mOhm @ 5A, 8V
• vgs(th) (uas) @ id
  2.6V @ 500µA
• muirear geata (qg) (uas) @ vgs
  9.6 nC @ 8 V
• vgs (uas)
  ±18V
• toilleas ionchuir (ciss) (uas) @ vds
  760 pF @ 400 V
• gné fet
  -
• diomailt cumhachta (uas)
  21W (Tc)
• teocht oibriúcháin
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• cineál gléasta
  Surface Mount
• pacáiste gléas soláthraí
  3-PQFN (8x8)
• pacáiste / cás
  3-PowerDFN