Sonraíochtaí

• sraith
  C2M™
• pacáiste
  Tube
• stádas páirt
  Not For New Designs
• cineál fet
  N-Channel
• teicneolaíochta
  SiCFET (Silicon Carbide)
• taosc go voltas foinse (vdss)
  1700 V
• sruth - draein leanúnach (id) @ 25°c
  72A (Tc)
• voltas tiomána (rds uasta ar aghaidh, íosmhéid ar aghaidh)
  20V
• rds ar (max) @ id, vgs
  59mOhm @ 50A, 20V
• vgs(th) (uas) @ id
  4V @ 18mA
• muirear geata (qg) (uas) @ vgs
  188 nC @ 20 V
• vgs (uas)
  +25V, -10V
• toilleas ionchuir (ciss) (uas) @ vds
  3672 pF @ 1000 V
• gné fet
  -
• diomailt cumhachta (uas)
  520W (Tc)
• teocht oibriúcháin
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• cineál gléasta
  Through Hole
• pacáiste gléas soláthraí
  TO-247-4
• pacáiste / cás
  TO-247-4