Sonraíochtaí

• sraith
  C3M™
• pacáiste
  Tube
• stádas páirt
  Active
• cineál fet
  N-Channel
• teicneolaíochta
  SiCFET (Silicon Carbide)
• taosc go voltas foinse (vdss)
  1200 V
• sruth - draein leanúnach (id) @ 25°c
  100A (Tc)
• voltas tiomána (rds uasta ar aghaidh, íosmhéid ar aghaidh)
  15V
• rds ar (max) @ id, vgs
  28.8mOhm @ 50A, 15V
• vgs(th) (uas) @ id
  3.6V @ 17.7mA
• muirear geata (qg) (uas) @ vgs
  162 nC @ 15 V
• vgs (uas)
  +15V, -4V
• toilleas ionchuir (ciss) (uas) @ vds
  4818 pF @ 1000 V
• gné fet
  -
• diomailt cumhachta (uas)
  469W (Tc)
• teocht oibriúcháin
  -40°C ~ 175°C (TJ)
• cineál gléasta
  Through Hole
• pacáiste gléas soláthraí
  TO-247-4L
• pacáiste / cás
  TO-247-4