Sonraíochtaí

• sraith
  eGaN®
• pacáiste
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• stádas páirt
  Active
• cineál fet
  3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
• gné fet
  GaNFET (Gallium Nitride)
• taosc go voltas foinse (vdss)
  100V
• sruth - draein leanúnach (id) @ 25°c
  1.7A, 500mA
• rds ar (max) @ id, vgs
  320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
• vgs(th) (uas) @ id
  2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
• muirear geata (qg) (uas) @ vgs
  0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
• toilleas ionchuir (ciss) (uas) @ vds
  16pF @ 50V, 7pF @ 50V
• cumhacht - uas
  -
• teocht oibriúcháin
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• cineál gléasta
  Surface Mount
• pacáiste / cás
  9-VFBGA
• pacáiste gléas soláthraí
  9-BGA (1.35x1.35)