Sonraíochtaí

• sraith
  SIPMOS®
• pacáiste
  Bulk
• stádas páirt
  Obsolete
• cineál fet
  P-Channel
• teicneolaíochta
  MOSFET (Metal Oxide)
• taosc go voltas foinse (vdss)
  60 V
• sruth - draein leanúnach (id) @ 25°c
  1.9A (Ta)
• voltas tiomána (rds uasta ar aghaidh, íosmhéid ar aghaidh)
  10V
• rds ar (max) @ id, vgs
  300mOhm @ 1.9A, 10V
• vgs(th) (uas) @ id
  4V @ 250µA
• muirear geata (qg) (uas) @ vgs
  14 nC @ 10 V
• vgs (uas)
  ±20V
• toilleas ionchuir (ciss) (uas) @ vds
  410 pF @ 25 V
• gné fet
  -
• diomailt cumhachta (uas)
  1.8W (Ta)
• teocht oibriúcháin
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• cineál gléasta
  Surface Mount
• pacáiste gléas soláthraí
  PG-SOT223-4
• pacáiste / cás
  TO-261-4, TO-261AA