Sonraíochtaí

• sraith
  HEXFET®
• pacáiste
  Bulk
• stádas páirt
  Active
• cineál fet
  P-Channel
• teicneolaíochta
  MOSFET (Metal Oxide)
• taosc go voltas foinse (vdss)
  150 V
• sruth - draein leanúnach (id) @ 25°c
  2.2A (Ta)
• voltas tiomána (rds uasta ar aghaidh, íosmhéid ar aghaidh)
  -
• rds ar (max) @ id, vgs
  240mOhm @ 1.3A, 10V
• vgs(th) (uas) @ id
  5V @ 250µA
• muirear geata (qg) (uas) @ vgs
  49 nC @ 10 V
• vgs (uas)
  ±20V
• toilleas ionchuir (ciss) (uas) @ vds
  1280 pF @ 25 V
• gné fet
  -
• diomailt cumhachta (uas)
  2.5W (Ta)
• teocht oibriúcháin
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• cineál gléasta
  Surface Mount
• pacáiste gléas soláthraí
  8-SO
• pacáiste / cás
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)