Sonraíochtaí

• sraith
  HEXFET®
• pacáiste
  Bulk
• stádas páirt
  Active
• cineál fet
  N-Channel
• teicneolaíochta
  MOSFET (Metal Oxide)
• taosc go voltas foinse (vdss)
  20 V
• sruth - draein leanúnach (id) @ 25°c
  6.8A (Ta)
• voltas tiomána (rds uasta ar aghaidh, íosmhéid ar aghaidh)
  2.7V, 4.5V
• rds ar (max) @ id, vgs
  35mOhm @ 4.1A, 4.5V
• vgs(th) (uas) @ id
  700mV @ 250µA
• muirear geata (qg) (uas) @ vgs
  22 nC @ 4.5 V
• vgs (uas)
  ±12V
• toilleas ionchuir (ciss) (uas) @ vds
  650 pF @ 15 V
• gné fet
  -
• diomailt cumhachta (uas)
  2.5W (Ta)
• teocht oibriúcháin
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• cineál gléasta
  Surface Mount
• pacáiste gléas soláthraí
  8-SO
• pacáiste / cás
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)