Sonraíochtaí

• sraith
  -
• pacáiste
  Tube
• stádas páirt
  Active
• cineál fet
  N-Channel
• teicneolaíochta
  SiCFET (Silicon Carbide)
• taosc go voltas foinse (vdss)
  1200 V
• sruth - draein leanúnach (id) @ 25°c
  10A (Tc)
• voltas tiomána (rds uasta ar aghaidh, íosmhéid ar aghaidh)
  18V
• rds ar (max) @ id, vgs
  585mOhm @ 3A, 18V
• vgs(th) (uas) @ id
  4V @ 900µA
• muirear geata (qg) (uas) @ vgs
  27 nC @ 18 V
• vgs (uas)
  +22V, -6V
• toilleas ionchuir (ciss) (uas) @ vds
  463 pF @ 800 V
• gné fet
  -
• diomailt cumhachta (uas)
  85W (Tc)
• teocht oibriúcháin
  175°C (TJ)
• cineál gléasta
  Through Hole
• pacáiste gléas soláthraí
  TO-247
• pacáiste / cás
  TO-247-3