Sonraíochtaí

• sraith
  Z-FET™
• pacáiste
  Bulk
• stádas páirt
  Active
• cineál fet
  2 N-Channel (Half Bridge)
• gné fet
  Silicon Carbide (SiC)
• taosc go voltas foinse (vdss)
  1200V (1.2kV)
• sruth - draein leanúnach (id) @ 25°c
  423A (Tc)
• rds ar (max) @ id, vgs
  5.7mOhm @ 300A, 20V
• vgs(th) (uas) @ id
  2.3V @ 15mA (Typ)
• muirear geata (qg) (uas) @ vgs
  1025nC @ 20V
• toilleas ionchuir (ciss) (uas) @ vds
  11700pF @ 600V
• cumhacht - uas
  1660W
• teocht oibriúcháin
  150°C (TJ)
• cineál gléasta
  Chassis Mount
• pacáiste / cás
  Module, Screw Terminals
• pacáiste gléas soláthraí
  Module